8-inčni TaC obloženi zračni plutajući pladanj za SiC epitaksiju

8-inčni TaC obloženi zračni plutajući nosač je ključna komponenta u procesima epitaksije SiC s više pločica, dizajniran za podršku i transport silicijum-karbidnih pločica tokom epitaksijalnog rasta. U zahtjevnom okruženju SiC epitaksijalnih peći, nosači moraju izdržati ekstremno visoke temperature, korozivne plinove i duge cikluse obrade. Kombinacijom CVD TaC premaza s visokočistoćim grafitnim podlogama, ovaj zračni plutajući nosač osigurava vrhunsku izdržljivost, termičku stabilnost i ujednačenost procesa - što ga čini bitnim elementom u proizvodnji SiC pločica velikih količina.

Ⅰ. Sastav materijala i fizička svojstva

TaC obloženi zračni plutajući pladanj integrira napredne materijale kako bi se postigla i mehanička robusnost i kemijska otpornost potrebna u epitaksiji poluvodiča:

●Materijal podloge: Grafitni susceptor visoke čistoće (ultra nizak sadržaj nečistoća, visoka toplotna provodljivost)

●Površinski zaštitni sloj: CVD TaC premaz (tantal karbid) nanesen hemijskim taloženjem iz pare za ekstremnu otpornost na habanje i koroziju

Ključna fizička svojstva:

Čistoća TaC premaza: ≥ 99.99%

Tvrdoća (HK): ~2000 HK

Tačka topljenja: ~3,880 °C

Toplotna provodljivost: Odlična, osigurava ravnomjerno zagrijavanje pločice

Otpornost na koroziju uzrokovanu halogenom: Izvanredna stabilnost u epitaksijalnim okruženjima bogatim hlorom i fluorom

Gustoća osnovnog grafita: ~1.85–1.95 g/cm³

Radna temperatura: Do 2,000 °C u kontrolisanim okruženjima

Ova svojstva osiguravaju da 8-inčni TaC obloženi pladanj može izdržati duge epitaksijalne cikluse, uz minimiziranje stvaranja čestica i kontaminacije pločice.

Ⅱ. Ključne funkcije u SiC epitaksiji

Naš 8-inčni TaC obloženi pladanj igra vitalnu ulogu u procesu epitaksije poluprovodničkog SiC-a obavljajući nekoliko ključnih funkcija:

●Ujednačena raspodjela temperature: Visoka toplotna provodljivost grafitne podloge i TaC premaza osigurava odličan prijenos topline i ujednačenu temperaturu na svim SiC pločicama. Ova ujednačenost je ključna za postizanje konzistentne debljine i morfologije epitaksijalnog sloja.

●Zaštita od nagrizanja i kontaminacije: Hemijski inertni TaC premaz efikasno sprečava reakciju grafitnog supstrata sa prekursorskim gasovima, što može uzrokovati nagrizanje i kontaminaciju česticama. Ova zaštita je ključna za održavanje čistog procesnog okruženja i osiguranje visokog prinosa pločice.

●Produženi vijek trajanja: Izdržljivi TaC premaz značajno produžava vijek trajanja susceptora štiteći grafit od habanja i hemijske degradacije, smanjujući učestalost zamjene i smanjujući operativne troškove.

●Dizajn zračnog plovka: Jedinstveni dizajn zračnog plovka minimizira fizički kontakt između susceptora i komore, smanjujući trenje i sprječavajući potencijalno stvaranje čestica koje bi mogle kontaminirati pločice. Zbog ovog dizajna poznat je i kao TaC obloženi zračni plovak.

Prednosti Semixlaba

U Semixlabu idemo dalje od standardnih proizvoda kako bismo pružili prilagođena rješenja koja zadovoljavaju specifične potrebe vašeg procesa epitaksije.

●Prilagođavanje: Nudimo sveobuhvatne mogućnosti prilagođavanja, uključujući različite oblike, veličine i debljine premaza, kako bismo savršeno odgovarali specifikacijama vašeg reaktora i zahtjevima procesa.

●Stručne tehničke konsultacije: Naš tim iskusnih inženjera pruža detaljnu tehničku podršku i konsultacije, pomažući vam da optimizujete svoj proces i besprijekorno integrišete naše proizvode.

●Rigorozno testiranje prije isporuke: Svaka ploča s TaC premazom prolazi kroz testiranje u ekstremnim uslovima prije isporuke. Provjeravamo njene performanse i integritet na visokim temperaturama i u hemijski agresivnim okruženjima kako bismo osigurali da će zadovoljiti vaše zahtjevne operativne potrebe.